儀器簡介

快速熱處理設備，主要用于硅及化合物半導體材料離子注入后的缺陷消除/激活雜質，硅化物形成，金屬蒸鍍后歐姆/肖特基接觸的制備，消除薄膜應力，提高薄膜附著性等方面。

性能指標

最大溫度范圍：150℃-1100℃；升溫速率10-180℃/秒，可預設定，過沖溫度3℃以內 ；密封石英盒尺寸：210×140×14mm，適合6"及以下基片；PC機控制，可編程，實時溫度曲線顯示及存儲功能；雙閉環溫度控制，穩態溫度穩定性±2℃。

應用范圍

該設備具有很好的長時間工作穩定性以及快速升降溫，慢速升降溫的功能，因此也可用于各種半導體材料PVD/CVD工藝的熱處理。

工藝圖：